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发明申请
US20070081408A1 Multi-chip semiconductor memory device having internal power supply voltage generation circuit for decreasing current consumption 有权
具有用于降低电流消耗的内部电源电压产生电路的多芯片半导体存储器件

  • 专利标题： Multi-chip semiconductor memory device having internal power supply voltage generation circuit for decreasing current consumption
  • 专利标题（中）： 具有用于降低电流消耗的内部电源电压产生电路的多芯片半导体存储器件
  • 申请号： US11542105
    申请日： 2006-10-04
  • 公开(公告)号： US20070081408A1
    公开(公告)日： 2007-04-12
  • 发明人: Oh Suk Kwon , Dae Seok Byeon
  • 申请人： Oh Suk Kwon , Dae Seok Byeon
  • 优先权： KR10-2005-93662 20051006
  • 主分类号： G11C5/14
  • IPC分类号： G11C5/14
Multi-chip semiconductor memory device having internal power supply voltage generation circuit for decreasing current consumption
摘要：
A multi-chip semiconductor memory device may comprise of a plurality of memory chips sharing a predetermined chip enable signal. Each of the plurality of memory chips may comprise of an active internal power supply generation circuit configured to convert an external power supply voltage into an internal power supply voltage and to be disabled in response to deactivation of a predetermined drive control signal. Each of the plurality of memory chips may also comprise of a conversion control circuit for generating the drive control signal, wherein the drive control signal is deactivated in an interval in which any of the plurality of memory chips is in an active interval.
摘要（中）：

多芯片半导体存储器件可以包括共享预定芯片使能信号的多个存储器芯片。 多个存储器芯片中的每一个可以包括有源内部电源产生电路，其被配置为将外部电源电压转换成内部电源电压并且响应于预定的驱动控制信号的去激活而被禁用。 多个存储器芯片中的每一个还可以包括用于产生驱动控制信号的转换控制电路，其中驱动控制信号在多个存储器芯片中的任何一个处于活动间隔中的间隔中被去激活。

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