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发明申请
US20070083842A1 Standard cell library, method of designing semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit pattern, and semiconductor integrated circuit 有权
标准单元库，半导体集成电路设计方法，半导体集成电路图案和半导体集成电路

  • 专利标题： Standard cell library, method of designing semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit pattern, and semiconductor integrated circuit
  • 专利标题（中）： 标准单元库，半导体集成电路设计方法，半导体集成电路图案和半导体集成电路
  • 申请号： US11543148
    申请日： 2006-10-05
  • 公开(公告)号： US20070083842A1
    公开(公告)日： 2007-04-12
  • 发明人: Yasunari Namba , Takahiro Yamamoto
  • 申请人： Yasunari Namba , Takahiro Yamamoto
  • 申请人地址： JP Chiba
  • 专利权人： KAWASAKI MICROELECTRONICS, INC.
  • 当前专利权人： KAWASAKI MICROELECTRONICS, INC.
  • 当前专利权人地址： JP Chiba
  • 优先权： JP2005-294646 20051007
  • 主分类号： G06F17/50
  • IPC分类号： G06F17/50
Standard cell library, method of designing semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit pattern, and semiconductor integrated circuit
摘要：
An exemplary cell library includes a first plurality of types of standard cells. Each of the first plurality of types of standard cells includes threshold voltage adjusting patterns. The upper and the lower boundaries of the threshold voltage adjusting patterns contact the upper and lower boundaries of the cell frame and the distances between the left and right boundaries of the-threshold voltage adjusting patterns and the cell frame are set appropriately. Accordingly, it is possible to place standard cells including transistors with different threshold voltages at arbitrary positions without increasing the area of a circuit block or the design cost.
摘要（中）：

示例性的细胞库包括第一多种类型的标准细胞。 第一多种类型的标准单元中的每一种包括阈值电压调整模式。 阈值电压调整图案的上边界和下边界接触单元框的上边界和下边界，并适当地设置阈值电压调整图案和单元框架的左右边界之间的距离。 因此，可以将包括具有不同阈值电压的晶体管的标准单元放置在任意位置，而不增加电路块的面积或设计成本。

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