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发明申请
US20070085030A1 Critical dimension effects correction in raster pattern generator 失效
光栅图案发生器中的关键尺寸效应校正

  • 专利标题： Critical dimension effects correction in raster pattern generator
  • 专利标题（中）： 光栅图案发生器中的关键尺寸效应校正
  • 申请号： US11241792
    申请日： 2005-09-30
  • 公开(公告)号： US20070085030A1
    公开(公告)日： 2007-04-19
  • 发明人: Richard Lozes , Benyamin Buller
  • 申请人： Richard Lozes , Benyamin Buller
  • 主分类号： G21G5/00
  • IPC分类号： G21G5/00
Critical dimension effects correction in raster pattern generator
摘要：
A method for generating a flash. The method includes computing dose correction multipliers taking into account fogging scattering effects, backscattering effects and fast secondary scattering effects; and using the dose correction multipliers to generate the flash.
摘要（中）：

一种产生带电粒子束闪光的方法。 该方法包括至少部分地基于抗蚀剂敏感度校正因子计算剂量校正乘数的阵列; 并使用剂量校正乘数阵列来调制带电粒子束闪光的曝光剂量。

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