利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明申请
US20070087537A1 Manufacturing method of semiconductor device 有权
半导体器件的制造方法

Manufacturing method of semiconductor device
摘要：
A technology capable of improving the yield in a manufacturing process of a MISFET with a gate electrode formed of a metal silicide film. A gate insulating film is formed on a semiconductor substrate and silicon gate electrodes formed of a polysilicon film are formed on the gate insulating film. Then, after a silicon oxide film is formed so as to cover the silicon gate electrodes, a surface of the silicon oxide film is polished by CMP, thereby exposing the surface of the silicon gate electrodes. Subsequently, a patterned insulating film is formed on the silicon oxide film. Thereafter, an adhesion film is formed on the silicon oxide film and the insulating film. Then, a nickel film is formed on the adhesion film. Thereafter, a silicide reaction is caused to occur between the silicon gate electrode and the nickel film via the adhesion film.
摘要（中）：

一种能够通过由金属硅化物膜形成的栅电极在MISFET的制造工艺中提高产量的技术。 在半导体衬底上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成由多晶硅膜形成的硅栅电极。 然后，在形成氧化硅膜以覆盖硅栅电极之后，通过CMP抛光氧化硅膜的表面，从而暴露硅栅电极的表面。 随后，在氧化硅膜上形成图案化的绝缘膜。 此后，在氧化硅膜和绝缘膜上形成粘合膜。 然后，在粘合膜上形成镍膜。 此后，通过粘合膜在硅栅电极和镍膜之间发生硅化物反应。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
0/0