发明申请
US20070087572A1 Method and apparatus for the improvement of material/voltage contrast
审中-公开
用于改善材料/电压对比度的方法和装置
- 专利标题： Method and apparatus for the improvement of material/voltage contrast
- 专利标题（中）： 用于改善材料/电压对比度的方法和装置
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申请号： US11527434申请日： 2006-09-26
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公开(公告)号： US20070087572A1公开(公告)日： 2007-04-19
- 发明人: Erwan Le Roy , Mark Thompson , William Thompson
- 申请人： Erwan Le Roy , Mark Thompson , William Thompson
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302 ; H01L21/461
摘要：
A method for observing voltage contrast from buried structures in SOI. The method includes depositing a thin transparent metal layer over the BOx to dissipate charging of the oxide, and using a low FIB beam current to avoid damage due to ion implantation and direct ion beam damage.
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