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发明申请
US20070105362A1 Methods of forming contact structures in low-k materials using dual damascene processes 审中-公开
使用双镶嵌工艺在低k材料中形成接触结构的方法

  • 专利标题： Methods of forming contact structures in low-k materials using dual damascene processes
  • 专利标题（中）： 使用双镶嵌工艺在低k材料中形成接触结构的方法
  • 申请号： US11270783
    申请日： 2005-11-09
  • 公开(公告)号： US20070105362A1
    公开(公告)日： 2007-05-10
  • 发明人: Jae Kim , Wan Park , Yi-Hsiung Lin
  • 申请人： Jae Kim , Wan Park , Yi-Hsiung Lin
  • 主分类号： H01L21/4763
  • IPC分类号： H01L21/4763
Methods of forming contact structures in low-k materials using dual damascene processes
摘要：
A method of forming a via using a dual damascene process can include removing a material from a recess in a low-k material using an ashing process while maintaining a protective spacer on an entire side wall of the recess to cover the low-k material in the recess.
摘要（中）：

使用双镶嵌工艺形成通孔的方法可以包括使用灰化工艺从低k材料的凹陷中去除材料，同时在凹槽的整个侧壁上保持保护性间隔物以覆盖低k材料 凹槽

信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
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