发明申请
- 专利标题： Semiconductor and method of semiconductor fabrication
- 专利标题（中）： 半导体和半导体制造方法
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申请号： US11603977申请日： 2006-11-21
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公开(公告)号： US20070114560A1公开(公告)日： 2007-05-24
- 发明人: Satoshi Kamiyama , Hiroshi Amano , Isamu Akasaki , Motoaki Iwaya , Hiroyuki Kinoshita
- 申请人： Satoshi Kamiyama , Hiroshi Amano , Isamu Akasaki , Motoaki Iwaya , Hiroyuki Kinoshita
- 申请人地址： JP Nagoya-shi
- 专利权人： Meijo University
- 当前专利权人： Meijo University
- 当前专利权人地址： JP Nagoya-shi
- 优先权： JPJP2005-339531 20051124
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L29/24
摘要：
The present invention discloses a semiconductor, includes one or more luminescent layers; and one or more electron gas layers with two-dimensional electron gases that are distributed parallel to the luminescent layers.
公开/授权文献
- US07732826B2 Semiconductor and method of semiconductor fabrication 公开/授权日：2010-06-08