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发明申请
US20070117305A1 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED GATE CHARGE AND REDUCED ON RESISTANCE AND METHOD 有权
具有降低栅极电荷并降低电阻和方法的半导体器件

  • 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED GATE CHARGE AND REDUCED ON RESISTANCE AND METHOD
  • 专利标题（中）： 具有降低栅极电荷并降低电阻和方法的半导体器件
  • 申请号： US11624560
    申请日： 2007-01-18
  • 公开(公告)号： US20070117305A1
    公开(公告)日： 2007-05-24
  • 发明人: Prasad Venkatraman , Irene Wan
  • 申请人： Prasad Venkatraman , Irene Wan
  • 主分类号： H01L21/8238
  • IPC分类号： H01L21/8238 ;  H01L29/80
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED GATE CHARGE AND REDUCED ON RESISTANCE AND METHOD
摘要：
In one embodiment, a semiconductor device comprises a semiconductor material having a first conductivity type with a body region of a second conductivity type disposed in the semiconductor material. The body region is adjacent a JFET region. A source region of the first conductivity type is disposed in the body region. A gate layer is disposed over the semiconductor material and has a first opening over the JFET region and a second opening over the body region.
摘要（中）：

在一个实施例中，半导体器件包括具有第一导电类型的半导体材料，其具有布置在半导体材料中的第二导电类型的体区。 身体区域与JFET区域相邻。 第一导电类型的源极区域设置在身体区域中。 栅极层设置在半导体材料之上，并且在JFET区域上方具有第一开口，并且在身体区域上具有第二开口。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822 .....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232 ......场效应工艺
H01L21/8234 .......MIS工艺
H01L21/8238 ........互补场效应晶体管，例如CMOS
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