Semiconductor device fabrication method and polishing apparatus

发明申请

US20070173056A1 Semiconductor device fabrication method and polishing apparatus 审中-公开

标题翻译：半导体器件制造方法和抛光装置

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专利标题： Semiconductor device fabrication method and polishing apparatus
专利标题（中）： 半导体器件制造方法和抛光装置
申请号： US11652505

申请日： 2007-01-12
公开(公告)号： US20070173056A1

公开(公告)日： 2007-07-26
发明人: Masako Kodera
申请人： Masako Kodera
专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
优先权： JP2006-013563 20060123
主分类号： H01L21/4763
IPC分类号： H01L21/4763

Semiconductor device fabrication method and polishing apparatus

摘要：

A method for fabricating a semiconductor device includes forming a barrier metal film on a substrate with an opening defined therein, forming a copper-containing film on said barrier metal film after having formed said barrier metal film on a surface of said substrate and an inner wall of said opening, and polishing said copper-containing film and said barrier metal film while applying a voltage to said substrate in a state that said copper-containing film and said barrier metal film are exposed.

摘要（中）：

一种制造半导体器件的方法包括：在其上限定有开口的基板上形成阻挡金属膜，在所述基板的表面上形成所述阻挡金属膜之后，在所述阻挡金属膜上形成含铜膜，并且在所述含铜膜和所述阻挡金属膜露出的状态下对所述基板施加电压，并且对所述含铜膜和所述阻挡金属膜进行抛光。

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）