SEMICONDUCTOR MODULE HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP STACK AND METHOD

发明申请

US20070176277A1 SEMICONDUCTOR MODULE HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP STACK AND METHOD 有权

标题翻译：具有半导体芯片堆叠和半导体器件的半导体模块

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专利标题： SEMICONDUCTOR MODULE HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP STACK AND METHOD
专利标题（中）： 具有半导体芯片堆叠和半导体器件的半导体模块
申请号： US11622691

申请日： 2007-01-12
公开(公告)号： US20070176277A1

公开(公告)日： 2007-08-02
发明人: Markus Brunnbauer , Markus Fink , Hans-Gerd Jetten
申请人： Markus Brunnbauer , Markus Fink , Hans-Gerd Jetten
申请人地址： DE Muenchen 81669
专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
当前专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AG
当前专利权人地址： DE Muenchen 81669
优先权： DE102006001792.7 20060112
主分类号： H01L23/02
IPC分类号： H01L23/02

SEMICONDUCTOR MODULE HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP STACK AND METHOD

摘要：

A semiconductor module having a semiconductor chip stack and a method for producing the same is disclosed. In one embodiment, a thermally conductive layer with anisotropically thermally conductive particles is arranged between the semiconductor chips. The anisotropically thermally conductive particles have a lower thermal conductivity in a direction vertically with respect to the layer or the film than in a direction of the layer or the film.

摘要（中）：

公开了一种具有半导体芯片堆叠的半导体模块及其制造方法。在一个实施例中，具有各向异性导热颗粒的导热层布置在半导体芯片之间。各向异性导热颗粒在相对于层或膜垂直的方向上比在层或膜的方向上具有较低的热导率。

公开/授权文献

US08106497B2 Semiconductor module having a semiconductor chip stack and method 公开/授权日：2012-01-31

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L23/00	半导体或其他固态器件的零部件（H01L25/00优先）
H01L23/02	.容器；封接（H01L23/12，H01L23/34，H01L23/48，H01L23/552优先）