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发明申请
US20070187735A1 Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device 审中-公开
制造半导体器件的方法和半导体器件

  • 专利标题： Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
  • 专利标题（中）： 制造半导体器件的方法和半导体器件
  • 申请号： US11787450
    申请日： 2007-04-16
  • 公开(公告)号： US20070187735A1
    公开(公告)日： 2007-08-16
  • 发明人: Katsuo Takano
  • 申请人： Katsuo Takano
  • 优先权： JP2004-181353 20040618
  • 主分类号： H01L29/94
  • IPC分类号： H01L29/94
Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device
摘要：
A first hydrogen barrier film and an intermediate layer are formed on an interlayer dielectric film. A ferroelectric capacitor is formed on the intermediate layer, and a second hydrogen barrier film is formed over the entire surface including on the upper surface and side surfaces of the ferroelectric capacitor and on the intermediate layer. Then, the second hydrogen barrier film and the intermediate layer are removed while leaving at least portions on the upper surface and side surfaces of the ferroelectric capacitor. Then, a third hydrogen barrier film is formed on the second hydrogen barrier film, on side surfaces of the second hydrogen barrier film and the intermediate layer, and on the first hydrogen barrier film.
摘要（中）：

在层间电介质膜上形成第一氢阻挡膜和中间层。 在中间层上形成铁电电容器，在包含铁电电容器的上表面和侧面以及中间层的整个表面上形成第二氢阻挡膜。 然后，除去第二氢阻挡膜和中间层，同时留下铁电电容器的上表面和侧表面上的至少一部分。 然后，在第二氢阻挡膜上，第二氢阻挡膜和中间层的侧面，以及第一氢阻挡膜上形成第三氢阻挡膜。

信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92 ...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
H01L29/94 ....金属—绝缘体—半导体，例如MOS
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