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发明申请
US20070202694A1 Method of forming a layer and method of removing reaction by-products 失效
形成层的方法和除去反应副产物的方法

Method of forming a layer and method of removing reaction by-products
摘要：
In a method of forming a layer, a titanium layer and a titanium nitride layer may be successively formed on a first wafer. By-products adhered to the inside of a chamber during the formation of the titanium nitride layer may be removed from the chamber. Processes of forming the titanium layer, forming the titanium nitride layer, and removing the by-products may be repeated relative to a second wafer.
摘要（中）：

在形成层的方法中，可以在第一晶片上连续地形成钛层和氮化钛层。 在形成氮化钛层期间附着在室内部的副产物可以从室中除去。 可以相对于第二晶片重复形成钛层，形成氮化钛层和除去副产物的工艺。

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