Reducing nitrogen concentration with in-situ steam generation

发明申请

US20070207627A1 Reducing nitrogen concentration with in-situ steam generation 有权

标题翻译：用原位蒸汽发生降低氮浓度

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专利标题： Reducing nitrogen concentration with in-situ steam generation
专利标题（中）： 用原位蒸汽发生降低氮浓度
申请号： US11365013

申请日： 2006-03-01
公开(公告)号： US20070207627A1

公开(公告)日： 2007-09-06
发明人: Zhong Dong , Chiliang Chen , Ching-Hwa Chen
申请人： Zhong Dong , Chiliang Chen , Ching-Hwa Chen
专利权人： ProMOS Technologies Pte. Ltd.
当前专利权人： ProMOS Technologies Pte. Ltd.
主分类号： H01L21/31
IPC分类号： H01L21/31

Reducing nitrogen concentration with in-situ steam generation

摘要：

In-situ steam generation (ISSG) is used to reduce the nitrogen concentration in silicon and silicon oxide areas.

摘要（中）：

原位蒸汽发生（ISSG）用于降低硅和氧化硅区域的氮浓度。

公开/授权文献

US07387972B2 Reducing nitrogen concentration with in-situ steam generation 公开/授权日：2008-06-17

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择