发明申请
- 专利标题： Method to manipulate post metal etch/side wall residue
- 专利标题（中）： 操纵后金属蚀刻/侧壁残留的方法
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申请号： US11397836申请日： 2006-04-04
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公开(公告)号： US20070227555A1公开(公告)日： 2007-10-04
- 发明人: Michael Johnson , Timothy Crump
- 申请人： Michael Johnson , Timothy Crump
- 主分类号： B08B6/00
- IPC分类号： B08B6/00 ; B08B3/00 ; C23G1/00
摘要：
A method of semiconductor manufacturing to treat sidewall residue such that the side wall remains substantially vertical or peels back from the resist prior to removal of the resist by ashing or other means.
公开/授权文献
- US2153547A Hammock tent and support therefor 公开/授权日：1939-04-11
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