NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

发明申请

US20070241337A1 NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE 失效

标题翻译：氮化物半导体器件

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专利标题： NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
专利标题（中）： 氮化物半导体器件
申请号： US11766484

申请日： 2007-06-21
公开(公告)号： US20070241337A1

公开(公告)日： 2007-10-18
发明人: Wataru Saito , Ichiro Omura
申请人： Wataru Saito , Ichiro Omura
申请人地址： JP Tokyo
专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
当前专利权人： Kabushiki Kaisha Toshiba
当前专利权人地址： JP Tokyo
优先权： JP2004-255467 20040902
主分类号： H01L29/94
IPC分类号： H01L29/94

摘要：

In a nitride semiconductor device according to one embodiment of the invention, a p-type gallium nitride (GaN) layer electrically connected to a source electrode and extending and projecting to a drain electrode side with respect to a gate electrode is formed on an undoped or n-type aluminum gallium nitride (AlGaN) layer serving as a barrier layer.

摘要（中）：

在根据本发明的一个实施方案的氮化物半导体器件中，在未掺杂的或未掺杂的或未掺杂的氮化物半导体器件上形成电连接到源电极并相对于栅电极延伸并突出到漏极侧的p型氮化镓（GaN） n型氮化镓铝（AlGaN）层作为阻挡层。

公开/授权文献

US07732837B2 Nitride semiconductor device 公开/授权日：2010-06-08

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/86	..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92	...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
H01L29/94	....金属—绝缘体—半导体，例如MOS