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发明申请
US20070267681A1 Semiconductor device and method of manufacturing the same 有权
半导体装置及其制造方法

  • 专利标题： Semiconductor device and method of manufacturing the same
  • 专利标题（中）： 半导体装置及其制造方法
  • 申请号： US11798947
    申请日： 2007-05-18
  • 公开(公告)号： US20070267681A1
    公开(公告)日： 2007-11-22
  • 发明人: Kyung Joong Joo , Han Soo Kim
  • 申请人： Kyung Joong Joo , Han Soo Kim
  • 优先权： KR10-2006-0044832 20060518
  • 主分类号： H01L29/788
  • IPC分类号： H01L29/788 ;  H01L21/336
Semiconductor device and method of manufacturing the same
摘要：
Example embodiments are directed to a method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device including a substrate including a plurality of active regions and a plurality of isolation regions between adjacent active regions, each active region including a groove, a bottom surface of the groove being below an upper surface of the active region.
摘要（中）：

示例性实施例涉及制造半导体器件和半导体器件的方法，所述半导体器件和半导体器件包括：衬底，其包括多个有源区和相邻有源区之间的多个隔离区，每个有源区包括沟槽，凹槽的底面为 在有源区的上表面下方。

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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/788 ......带有浮栅的
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