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发明申请
US20070278559A1 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE 失效
半导体存储器件

  • 专利标题： SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
  • 专利标题（中）： 半导体存储器件
  • 申请号： US11756016
    申请日： 2007-05-31
  • 公开(公告)号： US20070278559A1
    公开(公告)日： 2007-12-06
  • 发明人: Kazuo Saito
  • 申请人： Kazuo Saito
  • 优先权： JP2006-151539 20060531
  • 主分类号： H01L29/788
  • IPC分类号： H01L29/788 ;  H01L23/52
SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要：
A semiconductor memory device according to the present invention includes a first wiring region and a second wiring region located adjacent to the first wiring region. First lines located in the first wiring region include a first portion, a first lead portion and first inclined portion. Second lines located in the second wiring region include a second portion, a second lead portion and a second inclined portion. The first and second portions are located in parallel with a same pitch, the first and second lead portions are located with a pitch which is larger than the pitch of the first and second portions, the first and second inclined portions extend the same direction at a predetermined angle.
摘要（中）：

根据本发明的半导体存储器件包括第一布线区域和与第一布线区域相邻的第二布线区域。 位于第一布线区域的第一线包括第一部分，第一引线部分和第一倾斜部分。 位于第二布线区域中的第二线包括第二部分，第二引线部分和第二倾斜部分。 第一和第二部分以相同的间距平行放置，第一和第二引线部分的间距大于第一和第二部分的间距，第一和第二倾斜部分在相同的方向延伸 预定角度。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/788 ......带有浮栅的
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