发明申请
- 专利标题： Semiconductor device using magnetic domain wall movement
- 专利标题（中）： 半导体器件采用磁畴壁运动
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申请号： US11714823申请日： 2007-03-07
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公开(公告)号： US20080014424A1公开(公告)日： 2008-01-17
- 发明人: Chee-kheng Lim , Eun-sik Kim , Sung-chul Lee
- 申请人： Chee-kheng Lim , Eun-sik Kim , Sung-chul Lee
- 申请人地址： KR Suwon-si
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si
- 优先权： KR10-2006-0065863 20060713
- 主分类号： B32B15/04
- IPC分类号： B32B15/04 ; B32B9/04
摘要：
A semiconductor device to which magnetic domain wall movement is applied is provided. The semiconductor device includes a magnetic substance film in which magnetic domain walls are moved, and the magnetic substance film has a damping constant of 0.015 to 0.1.
公开/授权文献
- US07684236B2 Semiconductor device using magnetic domain wall movement 公开/授权日：2010-03-23
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