发明申请
US20080026547A1 Method of forming poly-si pattern, diode having poly-si pattern, multi-layer cross point resistive memory device having poly-si pattern, and method of manufacturing the diode and the memory device
有权
形成多晶硅图案的方法，具有多晶硅图案的二极管，具有多晶硅图案的多层交叉点电阻式存储器件以及制造二极管和存储器件的方法
- 专利标题： Method of forming poly-si pattern, diode having poly-si pattern, multi-layer cross point resistive memory device having poly-si pattern, and method of manufacturing the diode and the memory device
- 专利标题（中）： 形成多晶硅图案的方法，具有多晶硅图案的二极管，具有多晶硅图案的多层交叉点电阻式存储器件以及制造二极管和存储器件的方法
-
申请号： US11713738申请日： 2007-03-05
-
公开(公告)号： US20080026547A1公开(公告)日： 2008-01-31
- 发明人: Huaxiang Yin , Young-soo Park , Wenxu Xianyu , Hans S. Cho
- 申请人： Huaxiang Yin , Young-soo Park , Wenxu Xianyu , Hans S. Cho
- 专利权人： Samsung Electronics Co. Ltd.
- 当前专利权人： Samsung Electronics Co. Ltd.
- 优先权： KR10-2006-0070884 20060727
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
A method of forming a poly-silicon pattern may include forming an amorphous silicon pattern on a lower layer; forming a capping layer on the substrate covering the amorphous silicon pattern; poly-crystallizing the amorphous silicon pattern using an excimer laser annealing process; and removing the capping layer.
公开/授权文献
信息查询
IPC分类:
