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发明申请
US20080038881A1 Thin Film Transistor Array Panel and Manufacturing Method Thereof 审中-公开
薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

  • 专利标题： Thin Film Transistor Array Panel and Manufacturing Method Thereof
  • 专利标题（中）： 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
  • 申请号： US11621807
    申请日： 2007-01-10
  • 公开(公告)号： US20080038881A1
    公开(公告)日： 2008-02-14
  • 发明人: Jung-Han Shin , Joon-Hak Oh , Min-Ho Yoon
  • 申请人： Jung-Han Shin , Joon-Hak Oh , Min-Ho Yoon
  • 优先权： KR10-2006-0074646 20060808
  • 主分类号： H01L21/84
  • IPC分类号： H01L21/84
Thin Film Transistor Array Panel and Manufacturing Method Thereof
摘要：
A thin film transistor array panel according to an embodiment of the present invention includes a gate electrode, a source electrode and a drain electrode opposing each other and separated from each other on the gate electrode. An organic semiconductor is in contact with the source electrode and the drain electrode. A gate insulator is formed between the gate electrode and the organic semiconductor. A pixel electrode is connected to the drain electrode. A passivation member covers the organic semiconductor and includes a nonionic soluble polymer.
摘要（中）：

根据本发明的实施例的薄膜晶体管阵列面板包括彼此相对并且在栅电极上彼此分离的栅电极，源电极和漏电极。 有机半导体与源电极和漏电极接触。 在栅电极和有机半导体之间形成栅极绝缘体。 像素电极连接到漏电极。 钝化构件覆盖有机半导体并且包括非离子可溶性聚合物。

信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77 ..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78 ...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82 ....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/84 .....衬底不是半导体的，例如绝缘体
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