发明申请
- 专利标题： METHOD AND APPARATUS FOR PLANARIZING GAP-FILLING MATERIAL
- 专利标题（中）： 用于平面填充材料的方法和装置
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申请号： US11927779申请日： 2007-10-30
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公开(公告)号： US20080060534A1公开(公告)日： 2008-03-13
- 发明人: Kuei-Shun Chen , Chin-Hsiang Lin , T.H. Lin , Chia-Hsiang Lin
- 申请人： Kuei-Shun Chen , Chin-Hsiang Lin , T.H. Lin , Chia-Hsiang Lin
- 申请人地址： TW Hsin-Chu 300-77
- 专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： TW Hsin-Chu 300-77
- 主分类号： B30B9/00
- IPC分类号： B30B9/00
摘要：
A method an apparatus for fabricating an interconnection structure. A substrate is provided with a dielectric layer thereon. The dielectric layer comprises at least one opening therein. A gap-filling material is applied on the substrate filling the at least one opening. The gap-filling material is planarized using a template to create a substantially planarized surface.
公开/授权文献
- US08132503B2 Method and apparatus for planarizing gap-filling material 公开/授权日：2012-03-13
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