METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE

发明申请

US20080076213A1 METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE 有权

标题翻译：制造半导体器件的方法

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专利标题： METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE
专利标题（中）： 制造半导体器件的方法
申请号： US11309740

申请日： 2006-09-21
公开(公告)号： US20080076213A1

公开(公告)日： 2008-03-27
发明人: Chao-Ching Hsieh , Chun-Chieh Chang , Tzung-Yu Hung
申请人： Chao-Ching Hsieh , Chun-Chieh Chang , Tzung-Yu Hung
主分类号： H01L21/8234
IPC分类号： H01L21/8234

METHOD OF FABRICATING A SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要：

A method of fabricating semiconductor device is provided. A transistor is formed on a substrate, and a metal suicide layer is formed on the surface of a gate conductor layer and a source/drain region. Next, a surface treatment process is performed to selectively form a protection layer on the surface of the metal silicide layer. Then, a spacer of the transistor is partially removed using the protection layer as a mask, so as to reduce the width of the spacer. Then, a stress layer is formed on the substrate.

摘要（中）：

提供一种制造半导体器件的方法。在基板上形成晶体管，在栅极导体层和源极/漏极区域的表面上形成金属硅化物层。接下来，进行表面处理工艺以在金属硅化物层的表面上选择性地形成保护层。然后，使用保护层作为掩模来部分地去除晶体管的间隔物，以便减小间隔物的宽度。然后，在基板上形成应力层。

公开/授权文献

US07390729B2 Method of fabricating a semiconductor device 公开/授权日：2008-06-24

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺