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发明申请
US20080105927A1 Memory devices and methods of manufacturing the same 审中-公开
存储器件及其制造方法

  • 专利标题： Memory devices and methods of manufacturing the same
  • 专利标题（中）： 存储器件及其制造方法
  • 申请号： US11711117
    申请日： 2007-02-27
  • 公开(公告)号： US20080105927A1
    公开(公告)日： 2008-05-08
  • 发明人: Young-Joon Ahn , Jong-Jin Lee
  • 申请人： Young-Joon Ahn , Jong-Jin Lee
  • 优先权： KR2006-108650 20061106
  • 主分类号： H01L29/94
  • IPC分类号： H01L29/94 ;  H01L21/336
Memory devices and methods of manufacturing the same
摘要：
The memory device includes upper gate structures and lower gate structures formed on an active region of a substrate, and an insulation layer. Each of the upper gate structures may have a blocking layer pattern and a control gate electrode. Each of the lower gate structures may have a tunnel insulation layer pattern and a floating gate electrode. The floating gate electrode may include a lower portion that is narrower than an upper portion contacting with the upper gate structure. The insulation layer may cover gate structures formed of the lower and upper gate structures, and may include air gaps between adjacent gate structures.
摘要（中）：

存储器件包括形成在衬底的有源区上的上栅极结构和下栅极结构以及绝缘层。 每个上部栅极结构可以具有阻挡层图案和控制栅电极。 每个下栅极结构可以具有隧道绝缘层图案和浮栅电极。 浮栅电极可以包括比与上栅极结构接触的上部更窄的下部。 绝缘层可以覆盖由下部和上部栅极结构形成的栅极结构，并且可以包括相邻栅极结构之间的气隙。

信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/86 ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92 ...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
H01L29/94 ....金属—绝缘体—半导体，例如MOS
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