发明申请
- 专利标题： SOI WAFER AND METHOD FOR PRODUCING IT
- 专利标题（中）： SOI WAFER及其生产方法
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申请号： US12016225申请日： 2008-01-18
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公开(公告)号： US20080153259A1公开(公告)日： 2008-06-26
- 发明人: Dieter Graef , Markus Blietz , Reinhold Wahlich , Alfred Miller , Dirk Zemke
- 申请人： Dieter Graef , Markus Blietz , Reinhold Wahlich , Alfred Miller , Dirk Zemke
- 申请人地址： DE Munich
- 专利权人： SILTRONIC AG
- 当前专利权人： SILTRONIC AG
- 当前专利权人地址： DE Munich
- 优先权： DE102004021113.2 20040429
- 主分类号： H01L21/30
- IPC分类号： H01L21/30
摘要：
An SOI wafer is constructed from a carrier wafer and a monocrystalline silicon layer having a thickness of less than 500 nm, an excess of interstitial silicon atoms prevailing in the entire volume of the silicon layer. The SOI wafers may be prepared by Czochralski silicon single crystal growth, the condition v/G
公开/授权文献
- US08323403B2 SOI wafer and method for producing it 公开/授权日：2012-12-04