利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明申请
US20080158741A1 CURRENT-PERPENDICULAR-TO-PLANE SENSOR EPITAXIALLY GROWN ON A BOTTOM SHIELD 有权
电流 - 平面传感器外露地埋在底板上

  • 专利标题： CURRENT-PERPENDICULAR-TO-PLANE SENSOR EPITAXIALLY GROWN ON A BOTTOM SHIELD
  • 专利标题（中）： 电流 - 平面传感器外露地埋在底板上
  • 申请号： US11618527
    申请日： 2006-12-29
  • 公开(公告)号： US20080158741A1
    公开(公告)日： 2008-07-03
  • 发明人: Tsann Lin
  • 申请人： Tsann Lin
  • 主分类号： G11B5/33
  • IPC分类号： G11B5/33
CURRENT-PERPENDICULAR-TO-PLANE SENSOR EPITAXIALLY GROWN ON A BOTTOM SHIELD
摘要：
A current-perpendicular-to-plane (CPP) magnetoresistance sensor and a method for forming a current-perpendicular-to-plane (CPP) magnetoresistance sensor. The method includes providing a ferromagnetic shield layer and disposing one or more seed layers on the ferromagnetic shield layer. The method also includes disposing a pinning layer on the one or more seed layers, wherein the pinning layer excludes PtMn, and disposing a pinned layer on the pinning layer. The shield layer, each of the one or more seed layers, the pinning layer, and the pinned layer are comprised of compounds having face-centered-cubic structures.
摘要（中）：

电流垂直平面（CPP）磁阻传感器和形成电流 - 垂直平面（CPP）磁阻传感器的方法。 该方法包括提供铁磁屏蔽层并在铁磁屏蔽层上设置一个或多个晶种层。 所述方法还包括在所述一个或多个晶种层上设置钉扎层，其中所述钉扎层排除PtMn，并且将钉扎层设置在钉扎层上。 屏蔽层，一个或多个种子层中的每一个，钉扎层和被钉扎层由具有面心立方结构的化合物组成。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
0/0