SUB-LITHOGRAPHIC INTERCONNECT PATTERNING USING SELF-ASSEMBLING POLYMERS

发明申请

US20080182402A1 SUB-LITHOGRAPHIC INTERCONNECT PATTERNING USING SELF-ASSEMBLING POLYMERS 失效

标题翻译：使用自组装聚合物的次平面互连图案

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专利标题： SUB-LITHOGRAPHIC INTERCONNECT PATTERNING USING SELF-ASSEMBLING POLYMERS
专利标题（中）： 使用自组装聚合物的次平面互连图案
申请号： US11627488

申请日： 2007-01-26
公开(公告)号： US20080182402A1

公开(公告)日： 2008-07-31
发明人: Wai-Kin Li , Haining S. Yang
申请人： Wai-Kin Li , Haining S. Yang
申请人地址： US NY Armonk
专利权人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
当前专利权人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
当前专利权人地址： US NY Armonk
主分类号： H01L21/4763
IPC分类号： H01L21/4763

SUB-LITHOGRAPHIC INTERCONNECT PATTERNING USING SELF-ASSEMBLING POLYMERS

摘要：

The present invention is directed to the formation of sublithographic features in a semiconductor structure using self-assembling polymers. The self-assembling polymers are formed in openings in a hard mask, annealed and then etched, followed by etching of the underlying dielectric material. At least one sublithographic feature is formed according to this method. Also disclosed is an intermediate semiconductor structure in which at least one interconnect wiring feature has a dimension that is defined by a self-assembled block copolymer.

摘要（中）：

本发明涉及使用自组装聚合物在半导体结构中形成亚光刻特征。自组装聚合物形成在硬掩模的开口中，退火然后蚀刻，然后蚀刻下面的介电材料。根据该方法形成至少一个亚光刻特征。还公开了一种中间半导体结构，其中至少一个互连布线特征具有由自组装嵌段共聚物限定的尺寸。

公开/授权文献

US07767099B2 Sub-lithographic interconnect patterning using self-assembling polymers 公开/授权日：2010-08-03

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34	...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46	....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461	.....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）