Diimide-based semiconductor materials and methods of preparing and using the same

发明申请

US20080185577A1 Diimide-based semiconductor materials and methods of preparing and using the same 有权

标题翻译：基于二酰亚胺的半导体材料及其制备和使用方法

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专利标题： Diimide-based semiconductor materials and methods of preparing and using the same
专利标题（中）： 基于二酰亚胺的半导体材料及其制备和使用方法
申请号： US11986019

申请日： 2007-11-19
公开(公告)号： US20080185577A1

公开(公告)日： 2008-08-07
发明人: Antonio Facchetti , Tobin J. Marks , He Yan
申请人： Antonio Facchetti , Tobin J. Marks , He Yan
主分类号： H01L51/30
IPC分类号： H01L51/30 ; C07D471/02 ; B05D1/02 ; B05D1/18 ; C23C16/44 ; H01B1/00

Diimide-based semiconductor materials and methods of preparing and using the same

摘要：

Diimide-based semiconductor materials are provided with processes for preparing the same. Composites and electronic devices including the diimide-based semiconductor materials also are provided.

摘要（中）：

二酰亚胺类半导体材料具有制备该半导体材料的方法。还提供了包括二酰亚胺类半导体材料的复合材料和电子器件。

公开/授权文献

US07902363B2 Diimide-based semiconductor materials and methods of preparing and using the same 公开/授权日：2011-03-08

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L51/00	使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备（由在一个公共衬底中或其上形成的多个组件组成的器件入H01L27/28;使用有机材料的热电器件入H01L35/00,H01L37/00；使用有机材料的压电、电致伸缩或磁致伸缩元件入H01L41/00）
H01L51/05	.专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51/30	..材料的选择