Trench MOSFET with deposited oxide

发明申请

US20080185642A1 Trench MOSFET with deposited oxide 有权

标题翻译：具有沉积氧化物的沟槽MOSFET

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专利标题： Trench MOSFET with deposited oxide
专利标题（中）： 具有沉积氧化物的沟槽MOSFET
申请号： US12080453

申请日： 2008-04-03
公开(公告)号： US20080185642A1

公开(公告)日： 2008-08-07
发明人: Robert Montgomery
申请人： Robert Montgomery
专利权人： International Rectifier Corporation
当前专利权人： International Rectifier Corporation
主分类号： H01L29/78
IPC分类号： H01L29/78

摘要：

A trench type power semiconductor device which includes deposited rather than grown oxide in the trenches for the electrical isolation of electrodes disposed inside the trenches from the semiconductor body.

摘要（中）：

一种沟槽型功率半导体器件，其包括在沟槽中沉积而不是生长的氧化物，用于电绝缘设置在半导体本体的沟槽内的电极。

公开/授权文献

US08106446B2 Trench MOSFET with deposited oxide 公开/授权日：2012-01-31

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76	...单极器件
H01L29/772	....场效应晶体管
H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的