发明申请
- 专利标题： Phase change device with offset contact
- 专利标题（中）： 相移装置，带偏置接点
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申请号： US12152330申请日： 2008-05-14
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公开(公告)号： US20080224120A1公开(公告)日： 2008-09-18
- 发明人: Wolodymyr Czubatyj , Tyler Lowrey
- 申请人： Wolodymyr Czubatyj , Tyler Lowrey
- 专利权人： Ovonyx, Inc.
- 当前专利权人： Ovonyx, Inc.
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00
摘要：
A programmable resistance memory combines multiple cells into a block that includes one or more shared electrodes. The shared electrode configuration provides additional thermal isolation for the active region of each memory cell, thereby reducing the current required to program each memory cell.
公开/授权文献
- US07952087B2 Phase change device with offset contact 公开/授权日：2011-05-31
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IPC分类:
