SEMICONDUCTOR COMPONENT INCLUDING A MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD

发明申请

US20080246055A1 SEMICONDUCTOR COMPONENT INCLUDING A MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD 审中-公开

标题翻译：包含单晶半导体器件和方法的半导体元件

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专利标题： SEMICONDUCTOR COMPONENT INCLUDING A MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD
专利标题（中）： 包含单晶半导体器件和方法的半导体元件
申请号： US11867411

申请日： 2007-10-04
公开(公告)号： US20080246055A1

公开(公告)日： 2008-10-09
发明人: Hans-Joachim Schulze , Anton Mauder , Armin Willmeroth
申请人： Hans-Joachim Schulze , Anton Mauder , Armin Willmeroth
申请人地址： AT Villach
专利权人： Infineon Technologies Austria AG
当前专利权人： Infineon Technologies Austria AG
当前专利权人地址： AT Villach
优先权： DE102006047244.6 20061004
主分类号： H01L29/739
IPC分类号： H01L29/739 ; H01L29/78 ; H01L21/331

SEMICONDUCTOR COMPONENT INCLUDING A MONOCRYSTALLINE SEMICONDUCTOR BODY AND METHOD

摘要：

A semiconductor component comprising a monocrystalline semiconductor body, and to a method for producing the same is disclosed. In one embodiment, the semiconductor body has a semiconductor component structure with regions of a porous-mono crystalline semiconductor.

摘要（中）：

公开了一种包括单晶半导体本体的半导体元件及其制造方法。在一个实施例中，半导体本体具有具有多孔 - 单晶半导体区域的半导体部件结构。

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/70	...双极器件
H01L29/72	....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的
H01L29/739	.....受场效应控制的