利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明申请
US20090004848A1 METHOD FOR FABRICATING INTERCONNECTION IN SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
在半导体器件中制作互连的方法

  • 专利标题： METHOD FOR FABRICATING INTERCONNECTION IN SEMICONDUCTOR DEVICE
  • 专利标题（中）： 在半导体器件中制作互连的方法
  • 申请号： US11951636
    申请日： 2007-12-06
  • 公开(公告)号： US20090004848A1
    公开(公告)日： 2009-01-01
  • 发明人: Choon Hwan Kim , II Cheol Rho
  • 申请人： Choon Hwan Kim , II Cheol Rho
  • 优先权： KR10-2007-0064756 20070628
  • 主分类号： H01L21/4763
  • IPC分类号： H01L21/4763
METHOD FOR FABRICATING INTERCONNECTION IN SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要：
A method for fabricating an interconnection in a semiconductor device includes forming a hydrogenated tungsten nucleation layer on a semiconductor substrate, and forming a bulk tungsten layer on the tungsten nucleation layer. Boron ions react with a hydrogen gas supplied together with a diborane gas to be restored to a diborane again, thereby preventing a boron layer from being formed on an interface of the tungsten nucleation layer.
摘要（中）：

在半导体器件中制造互连的方法包括在半导体衬底上形成氢化钨成核层，并在钨成核层上形成体钨层。 硼离子与与乙硼烷气体一起供给的氢气再次反应回到乙硼烷，从而防止在钨成核层的界面上形成硼层。

信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/4763 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
0/0