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发明申请
US20090010071A1 NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND ERASING METHOD 审中-公开
非易失性存储器件和擦除方法

  • 专利标题： NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND ERASING METHOD
  • 专利标题（中）： 非易失性存储器件和擦除方法
  • 申请号： US12164226
    申请日： 2008-06-30
  • 公开(公告)号： US20090010071A1
    公开(公告)日： 2009-01-08
  • 发明人: Seung-Won LEE
  • 申请人： Seung-Won LEE
  • 申请人地址： KR Suwon-si
  • 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
  • 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
  • 当前专利权人地址： KR Suwon-si
  • 优先权： KR10-2007-0066149 20070702
  • 主分类号： G11C16/16
  • IPC分类号： G11C16/16
NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND ERASING METHOD
摘要：
Disclosed is an erasing method for a nonvolatile memory device that includes erasing selected memory cells and erase-verifying the selected memory cells after increasing their threshold voltage by application of a negative bulk bias voltage.
摘要（中）：

公开了一种用于非易失性存储器件的擦除方法，其包括通过施加负体积偏置电压来增加所选择的存储器单元并且在增加其阈值电压之后对所选存储单元进行擦除验证。

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