利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明申请
US20090039413A1 METHOD TO FORM UNIFORM TUNNEL OXIDE FOR FLASH DEVICES AND THE RESULTING STRUCTURES 审中-公开
形成用于闪存器件的均匀氧化锆的方法和结构结构

  • 专利标题： METHOD TO FORM UNIFORM TUNNEL OXIDE FOR FLASH DEVICES AND THE RESULTING STRUCTURES
  • 专利标题（中）： 形成用于闪存器件的均匀氧化锆的方法和结构结构
  • 申请号： US12252571
    申请日： 2008-10-16
  • 公开(公告)号： US20090039413A1
    公开(公告)日： 2009-02-12
  • 发明人: Zhong Dong , Chiliang Chen
  • 申请人： Zhong Dong , Chiliang Chen
  • 主分类号： H01L29/788
  • IPC分类号： H01L29/788
METHOD TO FORM UNIFORM TUNNEL OXIDE FOR FLASH DEVICES AND THE RESULTING STRUCTURES
摘要：
Thin oxide films are grown on silicon which has been previously treated with a gaseous or liquid source of chloride ions. The resulting oxide is of more uniform thickness than obtained on untreated silicon, thereby allowing a given charge to be stored on a floating gate formed over said oxide for a longer time than previously required for a structure not so treated.
摘要（中）：

薄氧化膜生长在已经用气态或液态氯离子源处理过的硅上。 所得到的氧化物的厚度比在未处理的硅上获得的厚度更均匀，从而允许将给定的电荷存储在形成于所述氧化物上的浮栅上比未经处理的结构先前需要的时间更长的时间。

信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66 .按半导体器件的类型区分的
H01L29/68 ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/76 ...单极器件
H01L29/772 ....场效应晶体管
H01L29/78 .....由绝缘栅产生场效应的
H01L29/788 ......带有浮栅的
0/0