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US20090061538A1 Methods of forming ferroelectric capacitors and methods of manufacturing semiconductor devices using the same 审中-公开
形成铁电电容器的方法和使用其制造半导体器件的方法

Methods of forming ferroelectric capacitors and methods of manufacturing semiconductor devices using the same
摘要：
In a method of forming a ferroelectric capacitor, a lower electrode layer is formed on a substrate. A first crystalline layer is formed on the lower electrode layer. A ferroelectric layer is formed on the first crystalline layer. The first crystalline layer one of prevents a component of the ferroelectric layer from diffusing into the lower electrode layer and mitigates fatigue of the ferroelectric layer. An upper electrode layer is formed on the ferroelectric layer.
摘要（中）：

在形成铁电电容器的方法中，在基板上形成下电极层。 在下电极层上形成第一晶体层。 在第一晶体层上形成铁电层。 第一晶体层防止铁电层的成分扩散到下电极层中，并减轻铁电层的疲劳。 在铁电层上形成上电极层。

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