发明申请
US20090067221A1 HIGH DENSITY 45NM SRAM USING SMALL-SIGNAL NON-STROBED REGENERATIVE SENSING
有权
高密度45NM SRAM，使用小信号非串联再生感测
- 专利标题： HIGH DENSITY 45NM SRAM USING SMALL-SIGNAL NON-STROBED REGENERATIVE SENSING
- 专利标题（中）： 高密度45NM SRAM，使用小信号非串联再生感测
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申请号： US12105410申请日： 2008-04-18
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公开(公告)号： US20090067221A1公开(公告)日： 2009-03-12
- 发明人: Anantha P. Chandrakasan , Naveen Verma
- 申请人： Anantha P. Chandrakasan , Naveen Verma
- 主分类号： G11C11/00
- IPC分类号： G11C11/00 ; H01S4/00
摘要：
A memory device includes a plurality of cells comprising CMOS structures. A non-strobed regenerative sense-amplifier (NSR-SA) is coupled to the cells and employs offset compensation and avoids strobe timing uncertainty to increase read-access speeds.
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