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发明申请
US20090081877A1 METHOD OF CONTROLLING STRIATIONS AND CD LOSS IN CONTACT OXIDE ETCH 有权
控制接触氧化物蚀刻的方法和CD损失

  • 专利标题： METHOD OF CONTROLLING STRIATIONS AND CD LOSS IN CONTACT OXIDE ETCH
  • 专利标题（中）： 控制接触氧化物蚀刻的方法和CD损失
  • 申请号： US12326834
    申请日： 2008-12-02
  • 公开(公告)号： US20090081877A1
    公开(公告)日： 2009-03-26
  • 发明人: Li Li , Bradley J. Howard
  • 申请人： Li Li , Bradley J. Howard
  • 主分类号： H01L21/3065
  • IPC分类号： H01L21/3065
METHOD OF CONTROLLING STRIATIONS AND CD LOSS IN CONTACT OXIDE ETCH
摘要：
A method for controlling striations and CD loss in a plasma etching method is disclosed. During the etching process, the substrate of semiconductor material to be etched is exposed first to plasma under a low power strike and subsequently to a conventional high power strike. CD loss has been found to be reduced by about 400 Angstroms and striations formed in the contact holes are reduced.
摘要（中）：

公开了一种用于控制等离子体蚀刻方法中的条纹和CD损耗的方法。 在蚀刻工艺期间，待蚀刻的半导体材料的衬底首先在低功率冲击下暴露于等离子体，然后暴露于传统的高功率冲击。 已经发现CD损耗减少约400埃，并且在接触孔中形成的条纹减小。

公开/授权文献
信息查询
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/302 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306 ......化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L21/31；绝缘层的后处理入H01L21/3105）
H01L21/3065 .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀
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