发明申请
- 专利标题： Photo Sensor and a Method for Manufacturing Thereof
- 专利标题（中）： 光传感器及其制造方法
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申请号： US12122151申请日： 2008-05-16
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公开(公告)号： US20090085077A1公开(公告)日： 2009-04-02
- 发明人: Henry Wang , Wei-Chou Lan , Lee-Tyng Chen
- 申请人： Henry Wang , Wei-Chou Lan , Lee-Tyng Chen
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： Prime View International Co., Ltd.
- 当前专利权人： Prime View International Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 优先权： TW96136414 20070928
- 主分类号： H01L31/113
- IPC分类号： H01L31/113 ; H01L21/00 ; H01L21/8236
摘要：
A photo sensor has an insulator layer for covering a diode stack, and the insulator layer is made of phtoresist to reduce a side leakage current.
公开/授权文献
- US07582499B2 Photo sensor and a method for manufacturing thereof 公开/授权日：2009-09-01
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IPC分类:
