SEMICONDUCTOR DEVICE

发明申请

US20090152622A1 SEMICONDUCTOR DEVICE 失效

标题翻译：半导体器件

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专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE
专利标题（中）： 半导体器件
申请号： US12271102

申请日： 2008-11-14
公开(公告)号： US20090152622A1

公开(公告)日： 2009-06-18
发明人: Hiroshi Itokawa , Ichiro Mizushima
申请人： Hiroshi Itokawa , Ichiro Mizushima
优先权： JP2007-297022 20071115
主分类号： H01L29/94
IPC分类号： H01L29/94

摘要：

A semiconductor device includes a first semiconductor region having a channel region, and containing silicon as a main component, second semiconductor regions sandwiching the first semiconductor region, formed of SiGe, and applying stress to the first semiconductor region, cap layers provided on the second semiconductor regions, and formed of silicon containing carbon or SiGe containing carbon, and silicide layers provided on the cap layers, and formed of nickel silicide or nickel-platinum alloy silicide.

摘要（中）：

半导体器件包括具有沟道区域并且以硅为主要成分的第一半导体区域，夹置由SiGe形成的第一半导体区域的第二半导体区域，并向第一半导体区域施加应力，设置在第二半导体层上的盖层区域，并且由含硅的碳或含SiGe的碳形成，以及设置在盖层上的由硅化镍或镍 - 铂合金硅化物形成的硅化物层。

公开/授权文献

US07986013B2 Semiconductor device having SiGe semiconductor regions 公开/授权日：2011-07-26

信息查询

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/86	..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/92	...有电位跃变势垒或表面势垒的电容器
H01L29/94	....金属—绝缘体—半导体，例如MOS