Method of Manufacturing a Semiconductor Device

发明申请

US20090170254A1 Method of Manufacturing a Semiconductor Device 有权

标题翻译：制造半导体器件的方法

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专利标题： Method of Manufacturing a Semiconductor Device
专利标题（中）： 制造半导体器件的方法
申请号： US12343134

申请日： 2008-12-23
公开(公告)号： US20090170254A1

公开(公告)日： 2009-07-02
发明人: Hwa-Sung Rhee , Ho Lee , Myung-Sun Kim , Ji-Hye Yi
申请人： Hwa-Sung Rhee , Ho Lee , Myung-Sun Kim , Ji-Hye Yi
优先权： KR2007-137759 20071226
主分类号： H01L21/8238
IPC分类号： H01L21/8238

摘要：

In a method of manufacturing a semiconductor device, a first gate electrode and a second gate electrode are formed in a first area and a second area of a substrate. Non-crystalline regions are formed in the first area of the substrate adjacent the first gate electrode. A layer having a first stress is formed on the substrate and the first and the second gate electrodes. A mask is formed on a first portion of the layer in the first area of the substrate to expose a second portion of the layer in the second area. The second portion is etched to form a sacrificial spacer on a sidewall of the second gate electrode. The second area of the substrate is partially etched using the mask, the second gate electrode and the sacrificial spacer, to form recesses in the second area of the substrate adjacent the second gate electrode. Patterns having a second stress are formed in the recesses.

摘要（中）：

在制造半导体器件的方法中，第一栅电极和第二栅电极形成在衬底的第一区域和第二区域中。在与第一栅电极相邻的衬底的第一区域中形成非结晶区域。在基板和第一和第二栅电极上形成具有第一应力的层。掩模在衬底的第一区域中的该层的第一部分上形成以暴露第二区域中该层的第二部分。蚀刻第二部分以在第二栅电极的侧壁上形成牺牲间隔物。使用掩模，第二栅电极和牺牲隔离物部分蚀刻衬底的第二区域，以在与第二栅电极相邻的衬底的第二区域中形成凹陷。在凹部中形成具有第二应力的图案。

公开/授权文献

US07879668B2 Method of manufacturing a semiconductor device 公开/授权日：2011-02-01

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70	.由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造（由预制电组件组成的组装件的制造入H05K3/00，H05K13/00）
H01L21/77	..在公共衬底中或上面形成的由许多固态元件或集成电路组成的器件的制造或处理（电可编程只读存储器或其多步骤的制造方法入H01L27/115）
H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件（改变表面物理特性或者半导体形状的切割入H01L21/304）
H01L21/82	....制造器件，例如每一个由许多元件组成的集成电路
H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的（H01L21/8258优先）
H01L21/8232	......场效应工艺
H01L21/8234	.......MIS工艺
H01L21/8238	........互补场效应晶体管，例如CMOS