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发明申请
US20090181549A1 METHOD FOR FORMING A GATE INSULATING FILM 失效
形成绝缘膜的方法

  • 专利标题： METHOD FOR FORMING A GATE INSULATING FILM
  • 专利标题（中）： 形成绝缘膜的方法
  • 申请号： US12349192
    申请日： 2009-01-06
  • 公开(公告)号： US20090181549A1
    公开(公告)日： 2009-07-16
  • 发明人: Kenji Yoneda , Kazuhiko Yamamoto
  • 申请人： Kenji Yoneda , Kazuhiko Yamamoto
  • 优先权： JP2008-003336 20080110
  • 主分类号： H01L21/469
  • IPC分类号： H01L21/469
METHOD FOR FORMING A GATE INSULATING FILM
摘要：
In formation of a gate insulating film made of a high dielectric constant metal silicate, atomic layer deposition (ALD) is performed by setting exposure time to a precursor containing a metal or the like to saturation time of a deposition rate by a surface adsorption reaction and by setting exposure time to an oxidizing agent to time required for a composition of a metal oxide film to reach 97% or more of a stoichiometric value.
摘要（中）：

在由高介电常数金属硅酸盐形成的栅极绝缘膜的形成中，通过将表面吸附反应的沉积速率的饱和时间设定为含有金属等的前体的曝光时间，进行原子层析出（ALD）， 通过将氧化剂的曝光时间设定为金属氧化物膜的组成所需的时间达到化学计量值的97％以上。

公开/授权文献
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IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/34 ...具有H01L21/06，H01L21/16及H01L21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件
H01L21/46 ....用H01L21/36至H01L21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/44）
H01L21/461 .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/469 ......在半导体材料上形成绝缘层的，例如，用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）以及这些层的后处理
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