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发明申请
US20090184305A1 Resistive memory devices and methods of manufacturing the same 有权
电阻式存储器件及其制造方法

Resistive memory devices and methods of manufacturing the same
摘要：
A resistive memory device includes a first electrode and a first insulation layer arranged on the first electrode. A portion of the first electrode is exposed through a first hole in the first insulation layer. A first variable resistance layer contacts the exposed portion of the first electrode and extends on the first insulation layer around the first hole. A first switching device electrically connects to the first resistive switching layer.
摘要（中）：

电阻式存储器件包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。 第一电极的一部分通过第一绝缘层中的第一孔露出。 第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分并在第一绝缘层周围在第一孔周围延伸。 第一开关装置电连接到第一电阻开关层。

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