发明申请
- 专利标题： PHASE-CHANGE RAM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
- 专利标题（中）： 相变RAM及其制作方法
-
申请号： US12428284申请日： 2009-04-22
-
公开(公告)号： US20090236582A1公开(公告)日： 2009-09-24
- 发明人: Sang-mock Lee , Jin-heong Yim , Yoon-ho Khang , Jin-seo Noh , Dong-seok Suh
- 申请人： Sang-mock Lee , Jin-heong Yim , Yoon-ho Khang , Jin-seo Noh , Dong-seok Suh
- 申请人地址： KR Suwon-si
- 专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 当前专利权人地址： KR Suwon-si
- 优先权： KR10-2005-0016183 20050225
- 主分类号： H01L47/00
- IPC分类号： H01L47/00
摘要：
A PRAM and a fabricating method thereof are provided. The PRAM includes a transistor and a data storage capability. The data storage capability is connected to the transistor. The data storage includes a top electrode, a bottom electrode, and a porous PCM layer. The porous PCM layer is interposed between the top electrode and the bottom electrode.
公开/授权文献
- US07872250B2 Phase-change ram and method for fabricating the same 公开/授权日：2011-01-18
信息查询
IPC分类:
