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发明申请
US20090295876A1 FERROELECTRIC OXIDE STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING THE STRUCTURE, AND LIQUID-DISCHARGE APPARATUS 审中-公开
电解氧化结构，生产结构的方法和液体放电装置

  • 专利标题： FERROELECTRIC OXIDE STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING THE STRUCTURE, AND LIQUID-DISCHARGE APPARATUS
  • 专利标题（中）： 电解氧化结构，生产结构的方法和液体放电装置
  • 申请号： US12473621
    申请日： 2009-05-28
  • 公开(公告)号： US20090295876A1
    公开(公告)日： 2009-12-03
  • 发明人: Hiroyuki Kobayashi , Yukio Sakashita
  • 申请人： Hiroyuki Kobayashi , Yukio Sakashita
  • 优先权： JP140972/2008 20080529
  • 主分类号： B41J2/045
  • IPC分类号： B41J2/045 ;  B32B3/00
FERROELECTRIC OXIDE STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING THE STRUCTURE, AND LIQUID-DISCHARGE APPARATUS
摘要：
A ferroelectric oxide structure includes a substrate and a ferroelectric thin-film deposited on the substrate. The ferroelectric thin-film has a thickness of greater than or equal to 200 nm and a tetragonal crystal system. The ferroelectric thin-film has (100) single-orientation crystal orientation.
摘要（中）：

铁电氧化物结构包括沉积在基板上的基板和铁电薄膜。 铁电薄膜的厚度大于等于200nm，四方晶系。 铁电薄膜具有（100）单取向晶体取向。

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