发明申请
- 专利标题： METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR WAFER
- 专利标题（中）： 生产半导体波形的方法
-
申请号： US12475816申请日： 2009-06-01
-
公开(公告)号： US20090311808A1公开(公告)日： 2009-12-17
- 发明人: Tomohiro Hashii , Yuichi Kakizono
- 申请人： Tomohiro Hashii , Yuichi Kakizono
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： SUMCO CORPORATION
- 当前专利权人： SUMCO CORPORATION
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2008-157272 20080616
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L21/306
摘要：
A semiconductor wafer is produced by a method comprising a slicing step, an one-side polishing step and a chemical treating step, in which the kerf loss is reduced and the flatness is improved.
公开/授权文献
- US1254477A Circuit-breaking device. 公开/授权日：1918-01-22
信息查询
IPC分类:
