利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明申请
US20100015795A1 SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PROJECTING ELECTRODE FORMED BY ELECTROLYTIC PLATING, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 有权
具有通过电镀法形成的电极的半导体器件及其制造方法

  • 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PROJECTING ELECTRODE FORMED BY ELECTROLYTIC PLATING, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
  • 专利标题（中）： 具有通过电镀法形成的电极的半导体器件及其制造方法
  • 申请号： US12566423
    申请日： 2009-09-24
  • 公开(公告)号： US20100015795A1
    公开(公告)日： 2010-01-21
  • 发明人: Norihiko Kaneko
  • 申请人： Norihiko Kaneko
  • 申请人地址： JP Tokyo
  • 专利权人： Casio Computer Co., Ltd.
  • 当前专利权人： Casio Computer Co., Ltd.
  • 当前专利权人地址： JP Tokyo
  • 优先权： JP2006-302633 20061108
  • 主分类号： H01L21/3205
  • IPC分类号： H01L21/3205
SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PROJECTING ELECTRODE FORMED BY ELECTROLYTIC PLATING, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
摘要：
A semiconductor device includes a semiconductor substrate, and a plurality of wiring lines provided on one side of the semiconductor substrate, each of the wiring lines having a connection pad portion. An overcoat film is provided on the wiring lines and the one side of the semiconductor substrate. The overcoat film has a plurality of openings in parts corresponding to the connection pad portions of the wiring lines. A plurality of foundation metal layers are respectively provided on inner surfaces of the openings of the overcoat film and electrically connected to the pat portions of the wiring lines. A plurality of projecting electrodes are respectively provided on the foundation metal layers in the openings of the overcoat film.
摘要（中）：

半导体器件包括半导体衬底和设置在半导体衬底的一侧上的多个布线，每个布线具有连接焊盘部分。 在布线和半导体基板的一侧设置覆盖膜。 外涂膜具有与布线的连接焊盘部对应的部分的多个开口部。 在外涂膜的开口的内表面上分别设置有多个基础金属层，并与布线的拍打部电连接。 多层突起电极分别设置在覆盖膜的开口中的基础金属层上。

公开/授权文献
信息查询
Global Dossier Espacenet
IPC分类:
H 电学
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04 ..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18 ...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30 ....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31 .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205 ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）
0/0