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发明申请
US20100025652A1 Multiple Quantum-Well Structure, Radiation-Emitting Semiconductor Base and Radiation-Emitting Component 审中-公开
多量子阱结构，辐射发射半导体基座和辐射发射元件

  • 专利标题： Multiple Quantum-Well Structure, Radiation-Emitting Semiconductor Base and Radiation-Emitting Component
  • 专利标题（中）： 多量子阱结构，辐射发射半导体基座和辐射发射元件
  • 申请号： US12303249
    申请日： 2007-05-04
  • 公开(公告)号： US20100025652A1
    公开(公告)日： 2010-02-04
  • 发明人: Peter Stauss
  • 申请人： Peter Stauss
  • 优先权： DE102006025964.5 20060602
  • 国际申请： PCT/DE2007/000805 WO 20070504
  • 主分类号： H01L29/66
  • IPC分类号： H01L29/66
Multiple Quantum-Well Structure, Radiation-Emitting Semiconductor Base and Radiation-Emitting Component
摘要：
A multiple quantum well structure (1) which comprises at least a first quantum well structure (2a) for generating radiation of a first wavelength (6) and at least a second quantum well structure (2b) for generating radiation of a second wavelength (7), which is greater than the first wavelength (6), and is provided for emission of radiation of a main wavelength (14), wherein the second wavelength (7) differs from the first wavelength (6) in such a way that the main wavelength (14) changes only by a predetermined maximum value in the event of a shift in the first wavelength (6) and the second wavelength (7). A radiation-emitting semiconductor body and a radiation-emitting component are furthermore described.
摘要（中）：

一种多量子阱结构（1），其包括用于产生第一波长（6）的辐射的至少第一量子阱结构（2a）和用于产生第二波长（7）的至少第二量子阱结构（2b） ），其大于第一波长（6），并且被提供用于发射主波长（14）的辐射，其中第二波长（7）与第一波长（6）不同，使得主波长 在第一波长（6）和第二波长（7）的偏移的情况下，波长（14）仅改变预定的最大值。 此外还描述了辐射发射半导体本体和发射辐射的部件。

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