发明申请
- 专利标题： FIELD EMISSION ELECTRON SOURCE
- 专利标题（中）： 场发射电子源
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申请号： US12343396申请日： 2008-12-23
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公开(公告)号： US20100033072A1公开(公告)日： 2010-02-11
- 发明人: Takahiro Matsumoto , Yoichiro Neo
- 申请人： Takahiro Matsumoto , Yoichiro Neo
- 申请人地址： JP Tokyo
- 专利权人： STANLEY ELECTRIC CO., LTD.
- 当前专利权人： STANLEY ELECTRIC CO., LTD.
- 当前专利权人地址： JP Tokyo
- 优先权： JP2007-335190 20071226
- 主分类号： H01J9/02
- IPC分类号： H01J9/02 ; H01J9/12
摘要：
A field emission electron source for emitting electrons under applied electric field includes a cold cathode having molecules of an aromatic compound vapor-deposited thereon at a pointed end of said cold cathode.
公开/授权文献
- US08405294B2 Field emission electron source 公开/授权日：2013-03-26
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