发明申请
- 专利标题： Method for Manufacturing InGaN
- 专利标题（中）： 制造InGaN的方法
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申请号： US12086418申请日： 2006-12-07
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公开(公告)号： US20100035410A1公开(公告)日： 2010-02-11
- 发明人: Masayuki Sonobe , Norikazu Ito , Kazuaki Tsutsumi , Tetsuya Fujiwara , Shinichi Tamai
- 申请人： Masayuki Sonobe , Norikazu Ito , Kazuaki Tsutsumi , Tetsuya Fujiwara , Shinichi Tamai
- 申请人地址： JP Kyoto-fu
- 专利权人： Rohm Co., Ltd
- 当前专利权人： Rohm Co., Ltd
- 当前专利权人地址： JP Kyoto-fu
- 优先权： JP2005359219 20051213
- 国际申请： PCT/JP2006/324438 WO 20061207
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
To provide a method for manufacturing InGaN which causes less segregation of In and achieves high crystallinity of an InGaN layer with the proportion of In increased.The method for manufacturing an InGaN layer including growing an InGaN layer under conditions of a growth temperature of 700 to 790° C., a growth rate of 30 to 93 Å/min, and a flow rate of trimethylindium of 0.882×10−5 to 3.53×10−5 mol/min.
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