TRENCH SHIELDING STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD

发明申请

US20100123220A1 TRENCH SHIELDING STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD 有权

标题翻译：用于半导体器件和方法的TRENCH SHIELDING STRUCTURE

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专利标题： TRENCH SHIELDING STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD
专利标题（中）： 用于半导体器件和方法的TRENCH SHIELDING STRUCTURE
申请号： US12271068

申请日： 2008-11-14
公开(公告)号： US20100123220A1

公开(公告)日： 2010-05-20
发明人: Peter A. Burke , Brian Pratt , Prasad Venkatraman
申请人： Peter A. Burke , Brian Pratt , Prasad Venkatraman
主分类号： H01L21/3205
IPC分类号： H01L21/3205 ; H01L23/58

TRENCH SHIELDING STRUCTURE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD

摘要：

A shielding structure for a semiconductor device includes a plurality of trenches. The trenches include passivation liners and shield electrodes, which are formed therein. In one embodiment, the shielding structure is placed beneath a control pad. In another embodiment, the shielding structure is placed beneath a control runner.

摘要（中）：

用于半导体器件的屏蔽结构包括多个沟槽。沟槽包括形成在其中的钝化衬垫和屏蔽电极。在一个实施例中，屏蔽结构位于控制板下方。在另一个实施例中，屏蔽结构位于控制转轮下方。

公开/授权文献

US08552535B2 Trench shielding structure for semiconductor device and method 公开/授权日：2013-10-08

信息查询

Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205	......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L21/28）