发明申请
- 专利标题： Light emitting diode
- 专利标题（中）： 发光二极管
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申请号： US12584417申请日： 2009-09-03
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公开(公告)号： US20100133569A1公开(公告)日： 2010-06-03
- 发明人: Qun-Qing Li , Kai-Li Jiang , Shou-Shan Fan
- 申请人： Qun-Qing Li , Kai-Li Jiang , Shou-Shan Fan
- 申请人地址： CN Beijing TW Tu-Cheng
- 专利权人： Tsinghua University,HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
- 当前专利权人： Tsinghua University,HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
- 当前专利权人地址： CN Beijing TW Tu-Cheng
- 优先权： CN200810217913.3 20081128
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00
摘要：
A light emitting diode includes a substrate, a first semiconductor layer, an active layer, a second semiconductor layer, and at least one transparent conductive layer. The transparent conductive layer comprises of a carbon nanotube structure.
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